三星芯片及代工高层大洗牌 加速提升3纳米良率比拼台积电

台湾省积体电路制造股份有限公司（以下简称“台积电”），拥有全球领先的制程技术与专业晶圆代工优势，产业龙头地位仍难以撼动，后头三星、英特尔虎视眈眈，除持续扩产、冲刺先进制程技术外，也积极透过并购、与竞争同业合作、抢设备等各种策略，追赶台积电。

三星、英特尔频出招追赶台积电

三星近来动作频频，5月下旬宣布未来5年资本支出达3600亿美元，锁定半导体、生医与通讯等领域，虽然并未透露各事业资本支出投资比重等细节，但业界认为，三星将集中投资半导体领域，初估未来5年半导体投资规模将超过千亿美元。

除大举投资外，为争抢EUV光刻机设备，三星集团副会长李在镕近期传预计下周前往荷兰，造访半导体设备大厂阿斯麦尔 (ASML)，目标为取得最先进的芯片制造设备。

此外，三星4月时传出成立特别工作小组，由副会长韩正熙直接管理，小组成员包括计划与战略部门、各部门约10名高层与员工，要藉此加快并购行动；而此次李在镕赴荷兰，外界也预期，李在镕将探询并购机会，以加速半导体事业成长。

英特尔动作同样积极，体现“敌人的敌人是朋友”的商场战略，执行长季辛格上周赴韩国会面李在镕，双方将就下世代内存芯片、系统芯片、晶圆代工、PC 与行动装置等多领域，展开合作。

此次英特尔与三星会面，又以晶圆代工最受关注，业界认为，英特尔有意分散依赖台积电的风险，寻求更多三星晶圆代工产能支持；另一方面，也传出双方会中可能讨论共同投资硅智财大厂安谋ARM（英国ARM公司是全球领先的半导体知识产权（IP）提供商），再为半导体产业投下震撼弹。

英特尔除购并高塔半导体外，也宣布将释出自身开发的IP供客户使用，同时积极扩增生态系成员，并透过旗下创投基金，将具潜力或优秀的新创企业纳入生态系，要藉此壮大、进一步加速晶圆代工事业发展。

三星晶圆代工高层大洗牌与台积电较劲

而据韩媒报道，三星电子已撤换负责开发下一代芯片的半导体研发中心负责人，晶圆代工业务高层也遭洗牌，由记忆体专家带领晶圆代工事业核心部门；业界认为，三星先进制程屡传良率不佳，在即将抢先量产3纳米之际，大刀阔斧进行高层大搬风，是为加速提升先进制程良率，以与台积电(2330-TW)(TSM-US)比拚。

三星晶圆代工高层大洗牌

外媒指出，三星电子已任命副总裁兼Flash（“flash”也称“闪存”是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据）开发部门负责人宋在赫为半导体研发中心的新负责人。

代工业务方面，指派半导体设备解决方案部门的全球制造与基础设施副总裁 南锡宇，兼任晶圆代工制造技术中心负责人，两人都是三星内存制程技术发展相关专家。同时也任命内存制造技术中心副总裁金鸿植，带领晶圆代工技术创新团队。

三星去年底宣布高层人事大搬风，全面撤换半导体、手机、消费电子三大事业主管，并将手机及消费电子事业合并，将经营重心转向半导体，时隔半年，再将内存业务大将部署至晶圆代工事业，积极推进晶圆代工事业发展。

三星预计最快今年6月量产3纳米制程，超车下半年量产的台积电，不过，三星先进制程良率一直是外界关注焦点，先前有外媒透露，由于其3纳米专利IP数量不足，导致良率仅10-20%，即便4纳米制程良率达35%，但仍远不及台积电的7成。