台积电2纳米制程采纳米片Nanosheet技术，与英特尔／三星竞争

外媒《Extremetech》报道，芯片制造的FinFET晶体管技术是自2011年以来开始使用，但随着节点不断缩小，FinFET晶体管技术将被别的技术取代。台积电更新技术蓝图指出，准备好生产2纳米时，就会转向纳米片 (Nanosheet) 晶体管技术，英特尔和三星也宣布类似计划。

《EEtimes》报告讨论台积电未来计划，今年底开始3纳米量产，确认3纳米制程不会采用纳米片技术。纳米片是种环绕栅极 (GAA) 晶体管，有浮动晶体管鳍、栅极围绕故得名。之前英特尔宣布RibbonFET计划，技术就类似纳米片。台积电预计2纳米纳米片量产2025年开始，但英特尔蓝图是RibbonFET于2024年第三季亮相。三星已在3纳米制程转向纳米线 (Nanowire) 制程，并宣布上半年量产。

比较台积电和英特尔量产进程，据经验“量产”定义略有不同。英特尔产品上零售市场前，较短时间就宣布量产。台积电是向客户销售产品，客户自行集成，因此台积电宣布量产到商用化产品出现需较长时间。

台积电不会短时间内开始量产2纳米制程，因预定3纳米制程将使用较长时间。业务开发资深副总经理张晓强指出，台积电3纳米制程将成为受欢迎节点，并是长节点，会有大量需求。但从3纳米到2纳米，因晶体管架构，纳米片对提高节能和计算效率有独特优势，观察客户产品，要求计算性能更高节能效果者，将首先转向2纳米制程。届时台积电还将与2纳米制程一起销售3纳米制程。

三星已在进行GAA技术3纳米制程，似乎会使三星处于领先地位。然而市场分析师认为，太早脱离FinFET可能会吓到高通和英伟达等客户，因只要有重大技术转变，就很可能出问题，尤其产量时，可能刺激客户停在FinFET技术3纳米制程，或等到GAA技术设计更成熟再采用，使台积电受益可同时销售3纳米和2纳米制程。

尽管如此，逐步脱离FinFET技术应使芯片晶体管密度和效率显著进步。三星指出，与7纳米制程技术相比，3纳米的纳米线设计晶体管密度提高80%，还提高30%性能或提高50%节能效率。