PHD108NQ03LT,118
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品 牌：恩智浦(NXP)
型 号：PHD108NQ03LT,118
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| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 卷带（TR）,散装 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 零件状态 | 停产 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 产地 | 美国 |
| 仓库 | 深圳/香港 |
| 品质 | 原装正品 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 75A（Tc） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 5V，10V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 1375 pF @ 12 V |
| FET功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 187W（Tc） |
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