安装类型 | 通孔 |
包装 | 管件 |
系列 | - |
零件状态 | 在售 |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) |
封装/外壳 | HiP247™ |
产地 | 美国 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
技术 | SiC(碳化硅结晶体管) |
FET类型 | N 通道 |
漏源电压(Vdss) | 1700 V |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 7A(Tc) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 20V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.3 欧姆 @ 3A,20V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1mA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13.3 nC @ 20 V |
Vgs(最大值) | +22V,-10V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 133 pF @ 1000 V |
FET功能 | - |
功率耗散(最大值) | 96W(Tc) |
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