安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 卷带(TR),散装 |
系列 | - |
零件状态 | 停产 |
工作温度 | - |
封装/外壳 | ChipFET™ |
产地 | 美国 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
FET类型 | P 通道 |
漏源电压(Vdss) | 8 V |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 5.4A(Tj) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.8V,4.5V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 5.4A,4.5V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2400 pF @ 6.4 V |
FET功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) |
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