FQB4P25TM
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品 牌：安森美(ON)
型 号：FQB4P25TM
库 存：78884
仓库：大陆/香港
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| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 系列 | QFET® |
| 零件状态 | 停产 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | D²PAK（TO-263） |
| 产地 | 美国 |
| 仓库 | 深圳/香港 |
| 品质 | 原装正品 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET类型 | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 2.1 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 420 pF @ 25 V |
| FET功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），75W（Tc） |
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