安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 卷带(TR) |
系列 | - |
零件状态 | 在售 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | X4-DSN1006-3(B 类) |
产地 | 美国 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
FET类型 | P 通道 |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 3.4A(Ta) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.8V,8V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 78 毫欧 @ 500mA,8V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.1 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | -12V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 152 pF @ 10 V |
FET功能 | - |
功率耗散(最大值) | 810mW |
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