安装类型 | 通孔 |
包装 | 散装 |
系列 | U-MOSIX |
零件状态 | 在售 |
工作温度 | 150°C |
封装/外壳 | TO-220SIS |
产地 | 日本 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
FET类型 | N 通道 |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 15A(Ta) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 370 毫欧 @ 7.5A,10V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 2.04mA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 55 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2200 pF @ 300 V |
FET功能 | - |
功率耗散(最大值) | 45W(Tc) |
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