IAUS165N08S5N029ATMA1
品 牌:英飞凌(infineon)
型 号:IAUS165N08S5N029ATMA1
数据手册:
数据手册
安装类型 |
表面贴装型 |
包装 |
卷带(TR),剪切带(CT) |
系列 |
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
零件状态 |
在售 |
工作温度 |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
封装/外壳 |
PG-HSOG-8-1 |
产地 |
德国 |
仓库 |
深圳/香港 |
品质 |
原装正品 |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
FET类型 |
N 通道 |
漏源电压(Vdss) |
80 V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
165A(Tc) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) |
6V,10V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) |
2.9 毫欧 @ 80A,10V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) |
3.8V @ 108µA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) |
90 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) |
±20V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) |
6370 pF @ 40 V |
FET功能 |
- |
功率耗散(最大值) |
167W(Tc) |
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