安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 剪切带(CT) |
系列 | - |
零件状态 | 停产 |
工作温度 | - |
封装/外壳 | Micro8™ |
产地 | 德国 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
FET类型 | N 通道 |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 5.7A(Ta) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 35 毫欧 @ 3.8A,4.5V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | - |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 650 pF @ 15 V |
FET功能 | - |
功率耗散(最大值) | - |
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