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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

芯成半导体

型号:

IS43DR16320D-3DBL

描述:

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

库存:

17127

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥2.2

合计：￥{{price}}

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产品参数

写周期时间-字，页

15ns

包装

托盘

存储器接口

并联

存储器格式

DRAM

存储器类型

易失

存储容量

512Mb（32M x 16）

工作温度

0°C ~ 70°C（TA）

时钟频率

333 MHz

电压-供电

1.7V ~ 1.9V

系列

访问时间

450 ps

封装/外壳

84-TFBGA

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

不适用于新设计

数据手册

IS43DR16320D-3DBL下载

IS43DR16320D-3DBL（DDR2）由芯成半导体设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存17127,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IS43DR16320D-3DBL 封装/规格, 可以下载IS43DR16320D-3DBL中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。