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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

三星(samsung)

型号:

K4B2G0846F-BYNB

描述:

K4B2G0846F-BYNB

库存:

19323

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

DWPD

包装

存储器接口

存储器类型

存储容量

2 Gb

存取时间

工作温度

0 ~ 85 °C

技术

时钟频率

电压-供电

1.35 V

电流-最大值

系列

访问时间

闪存架构

随机读取

封装/外壳

78FBGA

产地

中国/美国/日本等

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

零件状态

在售

数据手册

查询K4B2G0846F-BYNB

K4B2G0846F-BYNB（DDR3）由三星(samsung)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存19323,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 K4B2G0846F-BYNB 封装/规格, 可以下载K4B2G0846F-BYNB中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。