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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

微芯(Microchip)

型号:

LND01K1-G

描述:

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

库存:

98954

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥0.81

合计：￥{{price}}

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

330mA（Tj）

FET功能

耗尽模式

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

+0.6V，-12V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

1.4 欧姆 @ 100mA，0V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

46 pF @ 5 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

功率耗散（最大值）

360mW（Ta）

包装

卷带（TR）,剪切带（CT）

工作温度

-25°C ~ 125°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

9 V

系列

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

封装/外壳

SOT-23-5

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

LND01K1-G下载

LND01K1-G（MOSFET）由微芯(Microchip)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存98954,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 LND01K1-G 封装/规格, 可以下载LND01K1-G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。