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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

意法半导体(ST)

型号:

SCTL35N65G2V

描述:

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

库存:

8609

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥31.09

合计：￥{{price}}

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

40A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

+22V，-10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

67毫欧 @ 20A，20V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

1370 pF @ 400 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

73 nC @ 20 V

功率耗散（最大值）

417W（Tc）

包装

卷带（TR）,剪切带（CT）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）

650 V

系列

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

封装/外壳

PowerFlat™（8x8）HV

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

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SCTL35N65G2V（MOSFET）由意法半导体(ST)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存8609,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 SCTL35N65G2V 封装/规格, 可以下载SCTL35N65G2V中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。