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NVMFS6H801NT3G
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TRENCH 8 80V NFET NVMFS6H801NT3G
图片仅供参考,商品以实物为准
品牌:
安森美(ON)
型号:
NVMFS6H801NT3G
描述:
TRENCH 8 80V NFET
库存:
40374
货源类别:
现货库存
仓库:
大陆/香港
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:0755-82988826
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Q Q
:3469113929
邮箱:
3469113929@qq.com
产品参数
25°C时电流-连续漏极(Id)
23A(Ta),157A(Tc)
FET功能
-
FET类型
N 通道
Vgs(最大值)
±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 50A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)
4120 pF @ 40 V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)
64 nC @ 10 V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),166W(Tc)
包装
卷带(TR)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
系列
Automotive, AEC-Q101
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)
10V
封装/外壳
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
产地
美国
仓库
深圳/香港
品质
原装正品
安装类型
表面贴装型
零件状态
在售
数据手册
下载
NVMFS6H801NT3G(MOSFET)由安森美(ON)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存40374,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 NVMFS6H801NT3G 封装/规格, 可以下载NVMFS6H801NT3G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF,资料中有 PCB空板 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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