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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

安森美(ON)

型号:

FQI3N30TU

描述:

MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

库存:

9239

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

3.2A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±30V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

2.2 欧姆 @ 1.6A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

230 pF @ 25 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

7 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

3.13W（Ta），55W（Tc）

包装

管件

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

300 V

系列

QFET®

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封装/外壳

I2PAK（TO-262）

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

通孔

零件状态

停产

数据手册

FQI3N30TU下载

FQI3N30TU（MOSFET）由安森美(ON)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存9239,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 FQI3N30TU 封装/规格, 可以下载FQI3N30TU中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。