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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

安森美(ON)

型号:

FQD10N20CTM_F080

描述:

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

库存:

67507

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

7.8A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±30V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

360 毫欧 @ 3.9A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

510 pF @ 25 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

26 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

50W（Tc）

包装

卷带（TR）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200 V

系列

QFET®

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封装/外壳

TO-252AA

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

停产

数据手册

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FQD10N20CTM_F080（MOSFET）由安森美(ON)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存67507,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 FQD10N20CTM_F080 封装/规格, 可以下载FQD10N20CTM_F080中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。