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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

美台(Diodes)

型号:

DMN2013UFDE-7

描述:

MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

库存:

61355

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥0.29

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

10.5A（Ta）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±8V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

11 毫欧 @ 8.5A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

2453 pF @ 10 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

25.8 nC @ 8 V

功率耗散（最大值）

660mW（Ta）

包装

卷带（TR）,剪切带（CT）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

系列

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

1.5V，4.5V

封装/外壳

U-DFN2020-6（E 类）

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

DMN2013UFDE-7下载

DMN2013UFDE-7（MOSFET）由美台(Diodes)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存61355,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 DMN2013UFDE-7 封装/规格, 可以下载DMN2013UFDE-7中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。