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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

东芝(Toshiba)

型号:

TPH1R712MD,L1Q

描述:

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP

库存:

37844

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥2

合计：￥{{price}}

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

60A（Tc）

FET功能

FET类型

P 通道

Vgs（最大值）

±12V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

1.7 毫欧 @ 30A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1mA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

10900 pF @ 10 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

182 nC @ 5 V

功率耗散（最大值）

78W（Tc）

包装

卷带（TR）,剪切带（CT）

工作温度

150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

系列

U-MOSVI

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

2.5V，4.5V

封装/外壳

8-SOP Advance（5x5）

产地

日本

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

TPH1R712MD,L1Q下载

TPH1R712MD,L1Q（MOSFET）由东芝(Toshiba)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存37844,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 TPH1R712MD,L1Q 封装/规格, 可以下载TPH1R712MD,L1Q中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。