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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

东芝(Toshiba)

型号:

TW070J120B,S1Q

描述:

SICFET N-CH 1200V 36A TO3P

库存:

49891

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥47.83

合计：￥{{price}}

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

36A（Tc）

FET功能

标准

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±25V，-10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

90 毫欧 @ 18A，20V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

5.8V @ 20mA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

1680 pF @ 800 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

67 nC @ 20 V

功率耗散（最大值）

272W（Tc）

包装

管件

工作温度

-55°C ~ 175°C

技术

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）

1200 V

系列

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

20V

封装/外壳

TO-3P（N）

产地

日本

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

通孔

零件状态

在售

数据手册

查询TW070J120B,S1Q

TW070J120B,S1Q（MOSFET）由东芝(Toshiba)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存49891,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 TW070J120B,S1Q 封装/规格, 可以下载TW070J120B,S1Q中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。