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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

东芝(Toshiba)

型号:

TPN6R303NC,LQ

描述:

MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

库存:

69275

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥0.5

合计：￥{{price}}

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

20A（Ta）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

6.3 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 200µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

1370 pF @ 15 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

24 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

700mW（Ta），19W（Tc）

包装

卷带（TR）,剪切带（CT）

工作温度

150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

系列

U-MOSVIII

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

4.5V，10V

封装/外壳

8-TSON Advance（3.1x3.1）

产地

日本

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

TPN6R303NC,LQ下载

TPN6R303NC,LQ（MOSFET）由东芝(Toshiba)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存69275,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 TPN6R303NC,LQ 封装/规格, 可以下载TPN6R303NC,LQ中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。