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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

英飞凌(infineon)

型号:

IPD80R1K0CEATMA1

描述:

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

库存:

64509

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥2.79

合计：￥{{price}}

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

5.7A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

950 毫欧 @ 3.6A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 250µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

785 pF @ 100 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

31 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

包装

卷带（TR）,剪切带（CT）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

系列

CoolMOS™ CE

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封装/外壳

PG-TO252-3

产地

德国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

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IPD80R1K0CEATMA1（MOSFET）由英飞凌(infineon)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存64509,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IPD80R1K0CEATMA1 封装/规格, 可以下载IPD80R1K0CEATMA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。