IPP65R190E6XKSA1参数规格书报价数据手册PDF-IC全球购

首页/ 商品目录/ MOSFET/ IPP65R190E6XKSA1

登录查看会员价格，新人赠送1250大礼包立即登录

图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

英飞凌(infineon)

型号:

IPP65R190E6XKSA1

描述:

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3

库存:

96392

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥6.49

合计：￥{{price}}

因市场行情波动，实际价格请咨询在线客服

立即购买立即询价

联系方式

座机：0755-82988826

手机：13794459602(微信同号)

Q Q：3469113929

邮箱：3469113929@qq.com

产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

20.2A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

190 毫欧 @ 7.3A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 730µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

1620 pF @ 100 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

73 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

151W（Tc）

包装

管件

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

系列

CoolMOS™

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封装/外壳

PG-TO220-3

产地

德国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

通孔

零件状态

不适用于新设计

数据手册

下载

IPP65R190E6XKSA1（MOSFET）由英飞凌(infineon)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存96392,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IPP65R190E6XKSA1 封装/规格, 可以下载IPP65R190E6XKSA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。