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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

英飞凌(infineon)

型号:

IMZ120R060M1HXKSA1

描述:

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

库存:

13065

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥21.67

合计：￥{{price}}

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

36A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

+23V，-7V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

78 毫欧 @ 13A，18V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

5.7V @ 5.6mA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

1060 pF @ 800 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

31 nC @ 18 V

功率耗散（最大值）

150W（Tc）

包装

管件

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）

1200 V

系列

CoolSiC™

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

15V，18V

封装/外壳

PG-TO247-4-1

产地

德国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

通孔

零件状态

在售

数据手册

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IMZ120R060M1HXKSA1（MOSFET）由英飞凌(infineon)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存13065,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IMZ120R060M1HXKSA1 封装/规格, 可以下载IMZ120R060M1HXKSA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。