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品牌:

英飞凌(infineon)

型号:

IRF7353D1PBF

描述:

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

库存:

77480

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

6.5A（Ta）

FET功能

肖特基二极管（隔离式）

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

32 毫欧 @ 5.8A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

650 pF @ 25 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

33 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

2W（Ta）

包装

管件

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

系列

FETKY™

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

4.5V，10V

封装/外壳

8-SO

产地

德国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

停产

数据手册

IRF7353D1PBF下载

IRF7353D1PBF（MOSFET）由英飞凌(infineon)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存77480,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IRF7353D1PBF 封装/规格, 可以下载IRF7353D1PBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。