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品牌:

英飞凌(infineon)

型号:

IPB60R600P6ATMA1

描述:

MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

库存:

9903

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

7.3A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 2.4A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 200µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

557 pF @ 100 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

12 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

63W（Tc）

包装

卷带（TR）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

系列

CoolMOS™ P6

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封装/外壳

PG-TO263-3

产地

德国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

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IPB60R600P6ATMA1（MOSFET）由英飞凌(infineon)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存9903,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IPB60R600P6ATMA1 封装/规格, 可以下载IPB60R600P6ATMA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。