CSD87312Q3E参数规格书报价数据手册PDF-IC全球购

首页/ 商品目录/ MOSFET/ CSD87312Q3E

登录查看会员价格，新人赠送1250大礼包立即登录

图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

德州仪器(TI)

型号:

CSD87312Q3E

描述:

采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

库存:

30606

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥1.75

合计：￥{{price}}

因市场行情波动，实际价格请咨询在线客服

立即购买立即询价

联系方式

座机：0755-82988826

手机：13794459602(微信同号)

Q Q：3469113929

邮箱：3469113929@qq.com

产品参数

包装

11 mm2: 3.3 x 3.3 (VSON-CLIP|8)

工作温度

-55 to 150

系列

N 沟道 MOSFET

封装/外壳

VSON-CLIP|8

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

CSD87312Q3E下载

CSD87312Q3E（MOSFET）由德州仪器(TI)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存30606,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 CSD87312Q3E 封装/规格, 可以下载CSD87312Q3E中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。