IPB035N08N3GATMA1参数规格书报价数据手册PDF-IC全球购

首页/ 商品目录/ MOSFET/ IPB035N08N3GATMA1

登录查看会员价格，新人赠送1250大礼包立即登录

图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

英飞凌(infineon)

型号:

IPB035N08N3GATMA1

描述:

MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

库存:

94427

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

购买数量：

单价：￥6.38

合计：￥{{price}}

因市场行情波动，实际价格请咨询在线客服

立即购买立即询价

联系方式

座机：0755-82988826

手机：13794459602(微信同号)

Q Q：3469113929

邮箱：3469113929@qq.com

产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

100A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

3.5 毫欧 @ 100A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 155µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

8110 pF @ 40 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

117 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

214W（Tc）

包装

卷带（TR）,剪切带（CT）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

系列

OptiMOS™

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

6V，10V

封装/外壳

PG-TO263-3

产地

德国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

在售

数据手册

下载

IPB035N08N3GATMA1（MOSFET）由英飞凌(infineon)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存94427,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IPB035N08N3GATMA1 封装/规格, 可以下载IPB035N08N3GATMA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。