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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

芯成半导体

型号:

IS43QR16256A-083RBLI-TR

描述:

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

库存:

5517

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

写周期时间-字，页

15ns

包装

卷带（TR）

存储器接口

并联

存储器格式

DRAM

存储器类型

易失

存储容量

4Gb（256M x 16）

工作温度

-40°C ~ 95°C（TC）

时钟频率

1.2 GHz

电压-供电

1.14V ~ 1.26V

系列

访问时间

封装/外壳

96-TFBGA

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

停产

数据手册

IS43QR16256A-083RBLI-TR下载

IS43QR16256A-083RBLI-TR（DDR4）由芯成半导体设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存5517,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IS43QR16256A-083RBLI-TR 封装/规格, 可以下载IS43QR16256A-083RBLI-TR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。