Total: 216
TI
ON
Microchip
ST
Infineon
NXP
Diodes
Toshiba
stop production
MOSFET(Metal oxide)
N channels
±20V
±30V
±10V
-
±25V
±12V
±16V
±8V
12V
±40V
Schottky diode (isolated)
Schottky diode
360mW(Ta)
2.5W(Ta)
2.2W(Ta)
1W(Ta)
2.1W(Ta)
125W(Tc)
3W(Ta)
2W(Ta)
28W(Tc)
150mW(Ta)
625mW(Ta)
400mW(Ta)
900mW(Ta)
600mW(Ta)
1.5W(Ta)
890mW(Ta)
1.25W(Ta)
350mW(Ta)
78W(Tc)
1.4W(Ta)
500mW(Ta)
700mW(Ta)
1.1W(Ta)
750mW(Ta)
165W(Tc)
200mW(Ta)
300mW(Ta)
330mW(Ta)
480mW(Ta)
1.56W(Ta)
41W(Tc)
178W(Tc)
104W(Tc)
850mW(Ta)
250mW(Ta)
370mW(Ta)
1.55W(Ta)
2.11W(Ta)
980mW(Ta)
1.54W(Ta)
920mW(Ta)
2.14W(Ta)
2.17W(Ta)
2.3W(Ta),113W(Tc)
350mW
1.38W
1.35W(Ta)
2.19W(Ta)
1.43W(Ta)
13W(Tc)
48W(Ta)
113W(Ta)
8.35W(Ta)