Total: 195
TI
ON
Microchip
ST
Infineon
NXP
Diodes
Toshiba
stop production
MOSFET(Metal oxide)
P channels
N channels
±20V
-
Schottky diode (isolated)
Schottky diode
360mW(Ta)
2.5W(Ta)
1W(Ta)
2.1W(Ta)
3W(Ta)
2W(Ta)
150mW(Ta)
625mW(Ta)
1.5W(Ta)
890mW(Ta)
350mW(Ta)
1.4W(Ta)
500mW(Ta)
700mW(Ta)
1.1W(Ta)
750mW(Ta)
200mW(Ta)
300mW(Ta)
330mW(Ta)
480mW(Ta)
470mW(Ta)
1.2W(Ta)
1.56W(Ta)
850mW(Ta)
250mW(Ta)
370mW(Ta)
1.08W(Ta)
2.11W(Ta)
2.15W(Ta)
2.17W(Ta)
350mW
1.5W(Ta),20W(Tc)
2.19W(Ta)
1.43W(Ta)