Total: 104
TI
ON
Microchip
ST
Infineon
NXP
Diodes
Toshiba
stop production
MOSFET(Metal oxide)
P channels
±20V
±10V
-
±25V
±12V
±8V
±40V
-6V
-12V
-5V
Schottky diode (isolated)
360mW(Ta)
2.5W(Ta)
1W(Ta)
2W(Ta)
625mW(Ta)
400mW(Ta)
1.5W(Ta)
350mW(Ta)
1.4W(Ta)
700mW(Ta)
1.1W(Ta)
750mW(Ta)
330mW(Ta)
470mW(Ta)
1.2W(Ta)
1.56W(Ta)
820mW(Ta)
660mW(Ta)
1.08W(Ta)
1.4W
1.13W
920mW(Ta)
2.15W(Ta)
2.17W(Ta)
425mW(Ta)
940mW(Ta)
2.3W(Ta)
1.5W(Ta),20W(Tc)
550mW
230mW(Ta)