Total: 252
TI
ON
Microchip
ST
Infineon
NXP
Diodes
Toshiba
On sale
stop production
Not applicable to new design
MOSFET(Metal oxide)
P channels
±20V
-
Schottky diode (isolated)
360mW(Ta)
2.5W(Ta)
1.8W(Ta)
2.2W(Ta)
1.6W(Ta)
1W(Ta)
1.3W(Ta)
1.7W(Ta)
2.1W(Ta)
42W(Tc)
2W(Ta)
2.7W(Ta)
625mW(Ta)
900mW(Ta)
1.5W(Ta)
800mW(Ta)
1.25W(Ta)
350mW(Ta)
950mW(Ta)
500mW(Ta)
700mW(Ta)
1.1W(Ta)
750mW(Ta)
810mW(Ta)
200mW(Ta)
300mW(Ta)
330mW(Ta)
470mW(Ta)
1.2W(Ta)
1.56W(Ta)
760mW(Ta)
1.9W(Ta)
650mW(Ta)
2.8W(Ta)
3.9W(Ta)
660mW(Ta)
380mW(Ta)
370mW(Ta)
720mW(Ta)
1.08W(Ta)
2.11W(Ta)
720mW
2.15W(Ta)
1.97W(Ta)
2.14W(Ta)
2.17W(Ta)
1.3W
1.52W(Ta)
1.28W
2.6W(Ta)
3.2W
2W(Ta),13.7W(Tc)
1.8W(Ta),14W(Tc)
2.18W(Ta)
3.4W(Ta),104W(Tc)
700mW
1.08W
920mW
2.3W(Ta),60W(Tc)
1.29W(Ta)
2W(Ta),17.3W(Tc)
1.8W(Ta),4.2W(Tc)
1.8W(Ta),5W(Tc)
1.5W(Ta),20W(Tc)