TK16J60W,S1VQ
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品 牌：东芝(Toshiba)
型 号：TK16J60W,S1VQ
库 存：79012
仓库：大陆/香港
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| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 系列 | DTMOSIV |
| 零件状态 | 在售 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | TO-3P（N） |
| 产地 | 日本 |
| 仓库 | 深圳/香港 |
| 品质 | 原装正品 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 15.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 7.9A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 790µA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 1350 pF @ 300 V |
| FET功能 | 超级结 |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
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