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三星(samsung)
镁光(micron)
海力士(sk hynix)
钰创科技
芯成半导体
Alliance Memory
DRAM
表面贴装型
卷带(TR),剪切带(CT)
在售
易失
4Gb(512M x 8)
1.14V ~ 1.26V
1.2 GHz
78-TFBGA