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三星(samsung)
镁光(micron)
海力士(sk hynix)
钰创科技
芯成半导体
Alliance Memory
DRAM
表面贴装型
卷带（TR）,剪切带（CT）
卷带（TR）
托盘
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易失
16Gb（4G x 4）
1.14V ~ 1.26V
1.6 GHz
1.33 GHz
1.2 GHz
78-TFBGA
149-WFBGA
筛选
DDR4
