卷带（TR）,剪切带（CT）-40°C ~ 85°C（TA）4Gb（4G x 1）-NAND FLASH[参数报价图片数据手册]-IC全球购

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NAND FLASH

符合商品数量共: 1 件

MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR

品牌：镁光(micron)

描述：IC FLASH 4GBIT SPI 8UPDFN

品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

兆易创新(GD)

华邦(winbond)

东芝(Toshiba)

赛普拉斯

飞索半导体

芯成半导体

铠侠（KIOXIA）

包装

卷带（TR）,剪切带（CT）

存储容量

4Gb（4G x 1）

工作温度

-40°C ~ 85°C（TA）

封装/外壳

8-UDFN

重置

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