易失DRAM1.7V ~ 1.95V-SDRAM[参数报价图片数据手册]-IC全球购

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SDRAM

符合商品数量共: 87 件

IS45VM16800E-75BLA2-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS45VM16800E-75BLA2

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS45VM16800E-75BLA1-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS45VM16800E-75BLA1

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS42VM32400G-6BL-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

IS42VM32400G-6BL

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

IS42VM32400E-75BLI-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

IS42VM32400E-75BLI

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

IS42VM16800G-6BL-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS42VM16800G-6BL

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS42VM16800E-75BLI

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS42VM16200C-75BLI-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS42VM16200C-75BLI

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS42VM16160D-8BL-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS42VM16160D-8BLI-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS42VM16160D-8BLI

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

价格：1+

￥3.85

IS42VM16160D-8BL

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

价格：1+

￥3.85

IS45VM16800H-75BLA2-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS45VM16800H-75BLA2

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

IS45VM16800H-75BLA1-TR

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

华邦(winbond)

南亚(nanya)

尔必达(ELPIDA)

钰创科技

芯成半导体

茂德科技

Alliance Memory

力积电子(Zentel)

存储器格式

DRAM

包装

托盘

卷带（TR）

存储器类型

易失

存储容量

256Mb（16M x 16）

512Mb（32M x 16）

32Mb（2M x 16）

64Mb（4M x 16）

128Mb（8M x 16）

32Mb（1M x 32）

128Mb（4M x 32）

256Mb（8M x 32）

512Mb（16M x 32）

64Mb（2M x 32）

电压-供电

1.7V ~ 1.95V

工作温度

-40°C ~ 85°C（TA）

-40°C ~ 105°C（TA）

0°C ~ 70°C（TA）

存储器接口

并联

封装/外壳

90-TFBGA

54-TFBGA

54-TFBGA（8x8）

技术

重置

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