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符合商品数量共: 24 件

MT48LC4M16A2P-6A AAT:J TR
库存：13155
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC16M16A2P-6A AAT:G TR
库存：17581
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC8M16A2P-6A AAT:L
库存：11627
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC4M16A2P-6A AAT:J
库存：12838
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC16M16A2P-6A AAT:G
库存：16005
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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价格：1+
￥11.82
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L TR
库存：16605
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC8M8A2TG-7E L:G
库存：12794
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC8M8A2TG-75 L:G
库存：11735
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC8M8A2P-7E L:G
库存：10036
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC8M8A2P-75 L:G
库存：15352
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC64M8A2P-75:C
库存：13323
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
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价格：1+
￥18.91
MT48LC64M8A2P-75 L:C
库存：14131
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC64M4A2TG-75 L:D
库存：19787
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC64M4A2TG-6A:D
库存：13307
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC64M4A2P-75 L:D
库存：17339
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
库存：12077
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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价格：1+
￥2.75
MT48LC32M8A2TG-7E L:D
库存：18211
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC32M8A2TG-6A:D
库存：16741
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC32M4A2TG-75 L:G
库存：12315
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC32M4A2P-7E:G
库存：15921
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

华邦(winbond)

南亚(nanya)

尔必达(ELPIDA)

钰创科技

芯成半导体

茂德科技

Alliance Memory

力积电子(Zentel)

存储器格式
包装

散装

托盘

卷带（TR）

盒

卷带（TR）,剪切带（CT）

存储器类型

易失

存储容量

256Mb（16M x 16）

256Mb（32M x 8）

256Mb（64M x 4）

512Mb（32M x 16）

512Mb（64M x 8）

512Mb（128M x 4）

64Mb（4M x 16）

128Mb（16M x 8）

128Mb（32M x 4）

128Mb（8M x 16）

8Mb（512K x 16）

16Mb（1M x 16）

64Mb（16M x 4）

64Mb（8M x 8）

128Gb（16G x 8）

2Gb（256M x 8）（NAND），1Gb（32M x 32）（LPDRAM）

1Gb（128M x 8）（NAND），512Mb（32M x 16）（LPDRAM）

4G

电压-供电
工作温度

-40°C ~ 85°C（TA）

-40°C ~ 105°C（TA）

0°C ~ 70°C（TA）

-20°C ~ 85°C（TA）

存储器接口

并联

封装/外壳

8-XFBGA，CSPBGA

56-TFBGA，CSPBGA

100-VBGA

153-LFBGA

153-VFBGA

169-WFBGA

54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）

技术

SDRAM

RLDRAM（1&2）

重置
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