托盘易失256Mb（16M x 16）并联54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）-SDRAM[参数报价图片数据手册]-IC全球购

筛选 SDRAM

首页

产品目录

SDRAM

符合商品数量共: 125 件

IS42VS16160J-75TLI

库存：22363

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16160D-7TLA2

库存：13892

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16160D-7TLA1

库存：1321

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160B-6TLI

库存：14469

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥3.30

IS42S16160B-7TLI

库存：7120

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥4.33

IS42S16160B-7TI

库存：15744

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥10.72

IS42S16160B-7T

库存：17654

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥8.35

IS42S16160B-6T

库存：18714

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥4.95

IS45S16160G-7CTLA2

库存：1597

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥12.05

IS45S16160G-7TLA2

库存：17439

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥11.78

IS45S16160G-6CTLA1

库存：19002

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥9.66

IS45S16160G-7CTLA1

库存：23172

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥8.93

IS45S16160G-6TLA1

库存：3887

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥8.65

IS45S16160G-7TLA1

库存：8918

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥8.24

IS42S16160G-6TLI

库存：22462

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥7.12

IS42S16160G-6TL

库存：5183

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥6.11

IS42S16160G-7TLI

库存：19106

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

价格：1+

￥10.31

MT48LC16M16A2P-6A AIT:G TR

库存：16698

品牌：镁光(micron)

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥2.20

MT48LC16M16A2P-6A AAT:G TR

库存：17581

品牌：镁光(micron)

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

MT48LC16M16A2P-7E AIT:G

库存：17653

品牌：镁光(micron)

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥22.73

品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

华邦(winbond)

南亚(nanya)

尔必达(ELPIDA)

钰创科技

芯成半导体

茂德科技

Alliance Memory

力积电子(Zentel)

存储器格式

DRAM

闪存

闪存-非易失

PSRAM

包装

散装

托盘

卷带（TR）

卷带（TR）,剪切带（CT）

存储器类型

FLASH - NAND

易失

非易失

存储容量

256Mb（16M x 16）

256Mb（32M x 8）

256Mb（64M x 4）

512Mb（32M x 16）

512Mb（64M x 8）

512Mb（128M x 4）

64Mb（4M x 16）

128Mb（16M x 8）

128Mb（8M x 16）

32Gb（2G x 16）

64Gb（16G x 4）

64Mb（16M x 4）

64Mb（8M x 8）

256Mb（16M x 16），512M（32M x 16）

384Gb（48G x 8）

1.125Tb（144G x 8）

3Tb（384G x 8）

4Gb（512M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDRAM）

512Mb（16M x 32）

8Gb（128M x 64）

8Gb（512M x 16）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM）

1Gb（128M x 8）（NAND），512Mb（32M x 16）（LPDRAM）

8Gb（1G x 8）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM）

8Gb（512M x 16）（NAND），4G（128M x 32）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），2Gb（128M x 16）（LPDDR2）

4Gb（512M x 8）（NAND），8Gb（512M x 16）（LPDDR2）

1.063TB

192M

320M

96M

512MB

128MB

电压-供电

1.7V ~ 1.9V

3V ~ 3.6V

4.5V ~ 5.5V

1.1V

1.65V ~ 2.2V

2.5V ~ 3.3V

2.7V ~ 3.3V

2.3V ~ 2.7V

1.14V ~ 1.3V

1.14V ~ 1.95V

1.2V

工作温度

-40°C ~ 85°C（TA）

-40°C ~ 105°C（TA）

0°C ~ 70°C（TA）

-30°C ~ 105°C（TC）

-30°C ~ 85°C（TC）

-40°C ~ 85°C（TC）

存储器接口

并联

封装/外壳

96-FBGA

8-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）

8-UDFN 裸露焊盘

8-UFDFN 裸露焊盘

8-XFBGA

44-VFBGA

46-VFBGA

48-TFSOP（0.173，4.40mm 宽）

56-VFBGA

48-TSOP

55-TFBGA

114-LFBGA

132-TBGA

169-LFBGA

272-VFBGA

153-WFBGA

169-TFBGA

54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）

54-VFBGA

60-VFBGA

134-VFBGA

134-WFBGA

137-VFBGA

170-TFBGA

178-VFBGA

240-WFBGA

63-VFBGA（9x11）

100-TBGA（12x18）

56-TFBGA

技术

LPDDR4

SDRAM - Mobile LPDDR4

SDRAM

SDRAM - DDR

SDRAM - DDR2

重置