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SDRAM

符合商品数量共: 11 件

IS42VM16160E-6BLI-TR
库存：5062
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42VM16160E-6BLI
库存：2798
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16800G-75BLI-TR
库存：10219
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16800G-6BLI-TR
库存：20606
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16800G-6BLI
库存：8323
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16400K-75BLI-TR
库存：20823
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16400K-6BLI-TR
库存：13197
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16400K-6BLI
库存：4795
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16160E-75BLI-TR
库存：10184
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16160E-6BLI-TR
库存：7017
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16160E-6BLI
库存：467
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

华邦(winbond)

南亚(nanya)

尔必达(ELPIDA)

钰创科技

芯成半导体

茂德科技

Alliance Memory

力积电子(Zentel)

存储器格式

DRAM

包装

托盘

卷带（TR）

存储器类型

易失

存储容量

256Mb（16M x 16）

64Mb（4M x 16）

128Mb（8M x 16）

电压-供电

1.7V ~ 1.95V

2.7V ~ 3.6V

3V ~ 3.6V

工作温度

-40°C ~ 85°C（TA）

存储器接口

并联

封装/外壳

54-TFBGA（8x8）

技术
重置
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