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SDRAM

符合商品数量共: 10 件

IS42VM16160D-8BL-TR
库存：5525
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42SM16160D-7BL-TR
库存：15955
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42S16160D-75EBL-TR
库存：9251
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42S16160D-7B-TR
库存：19530
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42S16160D-6BL-TR
库存：9739
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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IS42S16160G-5BL-TR
库存：18578
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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价格：1+
￥9.52
IS42S16160G-6BL-TR
库存：2674
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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价格：1+
￥5.19
IS42S16160G-7BL-TR
库存：21513
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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价格：1+
￥5.00
IS42S16160J-6BL-TR
库存：22604
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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价格：1+
￥4.43
IS42S16160J-7BL-TR
库存：5126
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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价格：1+
￥4.33
品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

华邦(winbond)

南亚(nanya)

尔必达(ELPIDA)

钰创科技

芯成半导体

茂德科技

Alliance Memory

力积电子(Zentel)

存储器格式

DRAM

包装

卷带（TR）

存储器类型

易失

存储容量

256Mb（16M x 16）

电压-供电

1.7V ~ 1.95V

3V ~ 3.6V

工作温度

0°C ~ 70°C（TA）

存储器接口

并联

封装/外壳

54-TFBGA

技术
重置
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