托盘易失-40°C ~ 85°C（TA）54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）-SDRAM[参数报价图片数据手册]-IC全球购

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SDRAM

符合商品数量共: 184 件

IS42VS16160J-75TLI

库存：22363

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16800E-7TLA1

库存：15473

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥8.25

IS45S16800E-6TLA1

库存：7827

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16320B-7TLA1

库存：17737

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16160D-7TLA1

库存：1321

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16400F-7TLA1

库存：15404

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥5.09

IS45S16400F-6TLA1

库存：1777

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

IS42S81600E-7TLI

库存：23094

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥4.67

IS42S81600E-6TLI

库存：16715

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

IS42S83200B-6TLI

库存：14485

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160B-6TLI

库存：14469

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥3.30

IS45S16800B-7TLA1

库存：7222

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16800D-75ETLI

库存：19909

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16400D-6TLI

库存：22752

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

IS42S83200B-7TLI

库存：19108

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S83200B-7TI

库存：6067

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16800D-7TI

库存：4051

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16400D-7TLI

库存：17119

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥3.47

IS42S16400D-7TI

库存：5357

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160B-7TLI

库存：7120

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥4.33

品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

华邦(winbond)

南亚(nanya)

尔必达(ELPIDA)

钰创科技

芯成半导体

茂德科技

Alliance Memory

力积电子(Zentel)

存储器格式

DRAM

闪存

闪存-非易失

PSRAM

包装

散装

托盘

卷带（TR）

盒

卷带（TR）,剪切带（CT）

散装,托盘

存储器类型

FLASH - NAND

易失

非易失

microSDXC™

存储容量

256Mb（16M x 16）

256Mb（32M x 8）

256Mb（64M x 4）

512Mb（32M x 16）

512Mb（64M x 8）

512Mb（128M x 4）

64Mb（4M x 16）

128Mb（16M x 8）

128Mb（8M x 16）

32Gb（2G x 16）

6Gb（384M x 16）

24Gb（384M x 64）

32Gb（512M x 64）

64Mb（16M x 4）

64Mb（8M x 8）

256Mb（16M x 16），512M（32M x 16）

2Gb（256M x 8，128M x 16）

1Gb（1G x 1）

128Gb（16G x 8）

384Gb（48G x 8）

1.125Tb（144G x 8）

3Tb（384G x 8）

6Tb（768G x 8）

128Mb（4M x 32）

512Mb（16M x 32）

8Gb（128M x 64）

2Gb（128M x 16）（NAND），1Gb（64M x 16）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），2Gb（128M x 16）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），2Gb（64M x 32）（LPDRAM）

1Gb（128M x 8）（NAND），512Mb（32M x 16）（LPDRAM）

8Gb（1G x 8）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM）

8Gb（512M x 16）（NAND），4G（128M x 32）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），2Gb（128M x 16）（LPDDR2）

4Gb（512M x 8）（NAND），8Gb（512M x 16）（LPDDR2）

576Mb（32M x 18）

576Mb（64M x 9）

RLDRAM 3

560GB

1.063TB

192M

320M

96M

512MB

128MB

电压-供电

1.7V ~ 1.9V

3V ~ 3.6V

1.65V ~ 2.2V

2.7V ~ 3.3V

1.65V ~ 3.6V

2.3V ~ 2.7V

1.14V ~ 1.3V

1.14V ~ 1.95V

1.2V

1.21V ~ 1.29V

1.31V ~ 1.39V

1.31V ~ 1.65V

工作温度

-40°C ~ 85°C（TA）

-40°C ~ 105°C（TA）

0°C ~ 70°C（TA）

-30°C ~ 105°C（TC）

-40°C ~ 85°C（TC）

存储器接口

并联，SPI

并联

封装/外壳

60-FBGA

60-TFBGA

96-FBGA

96-TFBGA

366-VFBGA

8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）

8-UFDFN 裸露焊盘

8-XFBGA

24-LBGA

44-VFBGA

46-VFBGA

48-TFSOP（0.173，4.40mm 宽）

56-VFBGA

88-TFBGA

107-TFBGA，CSPBGA

48-TSOP

55-TFBGA

114-LFBGA

130-VFBGA

132-TBGA

169-LFBGA

272-LFBGA

272-VFBGA

153-WFBGA

169-TFBGA

54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）

90-VFBGA

54-VFBGA

86-TFSOP（0.400，10.16mm 宽）

60-VFBGA

134-VFBGA

134-WFBGA

137-VFBGA

170-TFBGA

178-VFBGA

216-UFBGA

216-VFBGA

220-VFBGA

240-VFBGA

240-WFBGA

107-TFBGA

63-VFBGA（9x11）

152-TBGA（14x18）

100-TBGA（12x18）

56-TFBGA

技术

DDR3L

LPDDR4

FLASH，SRAM

SDRAM

SDRAM - DDR

LPDDR1

SDRAM - DDR2

SGRAM - GDDR5

PCM - LPDDR2，MCP - LPDDR2

QLC

重置