卷带（TR）易失256Mb（16M x 16）并联54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）-SDRAM[参数报价图片数据手册]-IC全球购

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SDRAM

符合商品数量共: 125 件

IS42S16160J-6TI-TR

库存：6289

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160G-6TI-TR

库存：8898

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16160D-7TLA2-TR

库存：5722

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16160D-7TLA1-TR

库存：20510

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160D-7TL-TR

库存：17513

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥7.15

IS42S16160D-7TLI-TR

库存：10657

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥11.18

IS42S16160D-6TL-TR

库存：17639

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160D-6TLI-TR

库存：8448

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160B-6TLI-TR

库存：7340

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160B-7TL-TR

库存：21967

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥10.18

IS42S16160B-7TI-TR

库存：21658

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160B-7T-TR

库存：20570

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS42S16160B-6TL-TR

库存：1770

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥2.20

IS42S16160B-6T-TR

库存：10381

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

IS45S16160G-7CTLA2-TR

库存：22270

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥11.53

IS45S16160G-7TLA2-TR

库存：16493

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥10.58

IS45S16160G-6CTLA1-TR

库存：20473

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥8.87

IS45S16160G-7CTLA1-TR

库存：17895

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥8.19

IS45S16160G-6TLA1 -TR

库存：12626

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥7.91

IS45S16160J-7CTLA2-TR

库存：15461

品牌：芯成半导体

描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

价格：1+

￥7.88

品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

华邦(winbond)

南亚(nanya)

尔必达(ELPIDA)

钰创科技

芯成半导体

茂德科技

Alliance Memory

力积电子(Zentel)

存储器格式

DRAM

闪存-非易失

包装

散装

托盘

卷带（TR）

卷带（TR）,剪切带（CT）

存储器类型

易失

存储容量

256Mb（16M x 16）

256Mb（32M x 8）

256Mb（64M x 4）

512Mb（32M x 16）

512Mb（64M x 8）

64Mb（4M x 16）

128Mb（16M x 8）

128Mb（32M x 4）

128Mb（8M x 16）

8Gb（512M x 16）

32Gb（2G x 16）

64Gb（16G x 4）

16Mb 闪存，4Mb RAM

16Mb（4M x 4）

64Mb（8M x 8）

64Mb（8M x 8，4M x 16）

2Gb（256M x 8，128M x 16）

1Gb（1G x 1）

768Gb（96G x 8）

1.5Tb（192G x 8）

6Tb（768G x 8）

128Mb（4M x 32）

4Gb（512M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDRAM）

1Gb（64M x 16）（NAND），512Mb（16M x 32）（LPDRAM）

1Gb（64M x 16）（NAND），256Mb（16M x 16）（LPDRAM）

1Gb（64M x 16）（NAND），256Mb（8M x 32）（LPDRAM）

2Gb（256M x 8）（NAND），1Gb（32M x 32）（LPDRAM）

2Gb（128M x 16）（NAND），1Gb（64M x 16）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），2Gb（128M x 16）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），2Gb（64M x 32）（LPDRAM）

4Gb（256M x 16）（NAND），2Gb（128M x 16）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），4Gb（256M x 16）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM）

1Gb（128M x 8）（NAND），512Mb（32M x 16）（LPDRAM）

8Gb（1G x 8）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM）

4Gb（512M x 8）（NAND），2Gb（128M x 16）（LPDDR2）

512MB

128MB

电压-供电

3V ~ 3.6V

4.5V ~ 5.5V

1.1V

1.65V ~ 2.2V

2.5V ~ 3.3V

2.7V ~ 3.3V

2.5V ~ 2.7V

1.14V ~ 1.3V

1.14V ~ 1.95V

1.2V

1.31V ~ 1.65V

工作温度

-40°C ~ 85°C（TA）

-40°C ~ 105°C（TA）

0°C ~ 70°C（TA）

-30°C ~ 105°C（TC）

-30°C ~ 85°C（TC）

-30°C ~ 85°C（TA）

存储器接口

MMC

并联

封装/外壳

96-FBGA

8-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）

8-UDFN 裸露焊盘

46-TFBGA

48-VFBGA

64-TFBGA

130-VFBGA

272-LFBGA

169-VFBGA

54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）

90-VFBGA

54-VFBGA

86-TFSOP（0.400，10.16mm 宽）

66-TSSOP (0，400，10，16mm)

178-VFBGA

152-VFBGA

190-TFBGA

107-TFBGA

63-VFBGA（9x11）

技术

SDRAM - DDR4

LPDDR4

SDRAM - Mobile LPDDR4

SDRAM

SDRAM - DDR2

SGRAM - GDDR5

重置