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SDRAM

符合商品数量共: 12 件

IS42S81600E-7TL-TR
库存：17720
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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IS42S81600E-6TL-TR
库存：2581
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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IS42S81600D-6TL-TR
库存：1739
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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IS42S81600D-7TL-TR
库存：16027
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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IS42S81600F-6TL-TR
库存：10894
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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价格：1+
￥3.64
IS42S81600F-7TL-TR
库存：12228
品牌：芯成半导体
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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价格：1+
￥3.55
MT48LC16M8A2P-7E:L TR
库存：10551
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC16M8A2P-6A:L TR
库存：15613
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC16M8A2TG-7E:G TR
库存：10376
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC16M8A2P-7E:G TR
库存：11830
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC16M8A2P-75 L:G TR
库存：17946
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC16M8A2P-75:GTR
库存：12781
品牌：镁光(micron)
描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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品牌

三星(samsung)

镁光(micron)

海力士(sk hynix)

华邦(winbond)

南亚(nanya)

尔必达(ELPIDA)

钰创科技

芯成半导体

茂德科技

Alliance Memory

力积电子(Zentel)

存储器格式

DRAM

包装

卷带（TR）

存储器类型

易失

存储容量

128Mb（16M x 8）

电压-供电

3V ~ 3.6V

工作温度

0°C ~ 70°C（TA）

存储器接口

并联

封装/外壳

46-TFBGA

48-VFBGA

64-TFBGA

54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）

190-TFBGA

技术

SDRAM

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