安装类型 | 通孔 |
包装 | 管件 |
系列 | QFET® |
零件状态 | 在售 |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-220-3 |
产地 | 美国 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
FET类型 | P 通道 |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 17A(Tc) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 120 毫欧 @ 8.5A,10V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 900 pF @ 25 V |
FET功能 | - |
功率耗散(最大值) | 79W(Tc) |
网友评论