安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 卷带(TR),剪切带(CT) |
系列 | PowerTrench® |
零件状态 | 停产 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | SuperSOT™-6 |
产地 | 美国 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
FET类型 | P 通道 |
漏源电压(Vdss) | 80 V |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 2.1A(Ta) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 183 毫欧 @ 2.1A,10V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 880 pF @ 40 V |
FET功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.6W(Ta) |
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