IRFB17N20D
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品 牌：英飞凌(infineon)
型 号：IRFB17N20D
库 存：4267
仓库：大陆/香港
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| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 系列 | HEXFET® |
| 零件状态 | 停产 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 产地 | 德国 |
| 仓库 | 深圳/香港 |
| 品质 | 原装正品 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 170 毫欧 @ 9.8A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 1100 pF @ 25 V |
| FET功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），140W（Tc） |
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