存储器格式 | DRAM |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 剪切带(CT), |
系列 | - |
零件状态 | 在售 |
存储器类型 | 易失 |
存储容量 | 4Gb(256M x 16) |
电压-供电 | 1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V |
类型 | - |
工作温度 | -40°C ~ 95°C(TC) |
存储器接口 | LVSTL_11 |
时钟频率 | 2.133 GHz |
访问时间 | - |
封装/外壳 | 200-WFBGA |
产地 | 台湾 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
存取时间 | - |
随机读取 | - |
DWPD | - |
电流-最大值 | - |
闪存架构 | - |
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