存储器格式 | DRAM |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 卷带(TR) |
系列 | - |
零件状态 | 在售 |
存储器类型 | 易失 |
存储容量 | 4Gb(128M x 32) |
电压-供电 | 1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V |
工作温度 | -40°C ~ 95°C(TC) |
存储器接口 | LVSTL_11 |
时钟频率 | 1.6 GHz |
访问时间 | - |
封装/外壳 | 200-WFBGA |
产地 | 台湾 |
仓库 | 深圳/香港 |
品质 | 原装正品 |
写周期时间-字,页 | 18ns |
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